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  • HRT -45℃~+250℃

    481

    无锡冠亚制冷加热循环器可实现-45度到250度动态控温,同时具备加热制冷功能,带2个LED显示控制器,可以同时显示温度设定值和实际值,以及超温报警值。整个液体循环是密闭的系统,无油雾和吸水情况,保证了实验的...

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  • LTS -20℃~80℃

    420

    广泛运用在半导体制程中对反应腔室控温、热沉板控温及需要传热介质 不可燃流体控温场所,适用于半导体芯片制造、芯片器件、航空电子设 备中的制冷加热温度控制。

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  • LTS -40℃~80℃

    348

    广泛运用在半导体制程中对反应腔室控温、热沉板控温及需要传热介质 不可燃流体控温场所,适用于半导体芯片制造、芯片器件、航空电子设 备中的制冷加热温度控制。

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  • LTS -60℃~80℃

    310

    广泛运用在半导体制程中对反应腔室控温、热沉板控温及需要传热介质 不可燃流体控温场所,适用于半导体芯片制造、芯片器件、航空电子设 备中的制冷加热温度控制。

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  • LTS -80℃~80℃

    386

    广泛运用在半导体制程中对反应腔室控温、热沉板控温及需要传热介质 不可燃流体控温场所,适用于半导体芯片制造、芯片器件、航空电子设 备中的制冷加热温度控制。

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  • WTD -45°C~250°C   双温区

    467

    针对微通道反应器持液量少换热能力强、循环系统压降大特点专门设计开发。优化温度采样及响应速度,专门设计控制算法,能快速响应到控温稳定。增强循环泵能力设计,满足反应器高压降需求。持续高温降温技术,满足在高...

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  • WTD -70°C~200C 双温区

    483

    针对微通道反应器持液量少换热能力强、循环系统压降大特点专门设计开发。优化温度采样及响应速度,专门设计控制算法,能快速响应到控温稳定。增强循环泵能力设计,满足反应器高压降需求。持续高温降温技术,满足在高...

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  • WTD -70°C~200°C

    434

    针对微通道反应器持液量少换热能力强、循环系统压降大特点专门设计开发。优化温度采样及响应速度,专门设计控制算法,能快速响应到控温稳定。增强循环泵能力设计,满足反应器高压降需求。持续高温降温技术,满足在高...

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  • UC +50℃~+170℃

    500

    无锡冠亚专业生产研发加热系统,控温范围50度到300度,适用于制药、化工企业各项工艺生产、实验使用的需求。可实现高温降温工艺,从高温300度直接降温到50度。配备加热冷却一体容器,换热面积大,升降温速率快,...

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  • UC +50℃~+300℃

    549

    无锡冠亚专业生产研发加热系统,控温范围50度到300度,适用于制药、化工企业各项工艺生产、实验使用的需求。可实现高温降温工艺,从高温300度直接降温到50度。配备加热冷却一体容器,换热面积大,升降温速率快,...

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  • UST +10℃~+300℃

    461

    加热控温系统的典型应用:高压反应釜冷热源动态恒温控制、双层玻璃反应釜冷热源动态恒温控制、双层反应釜冷热源动态恒温控制、微通道反应器冷热源恒温控制;小型恒温控制系统、蒸馏系统控温、材料低温高温老化测...

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  • SUNDI -100℃~+100℃

    487

    制冷加热控温系统的典型应用:高压反应釜冷热源动态恒温控制、双层玻璃反应釜冷热源动态恒温控制、双层反应釜冷热源动态恒温控制、微通道反应器冷热源恒温控制;小型恒温控制系统、蒸馏系统控温、材料低温高温老...

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